3/12(三)2014 ANSYS 產品線暨平行運算於半導體應用研討會
►解密台積電成功因素-張忠謀看好今年半導體景氣
晶圓代工廠台積電看好今年20奈米製程，可望快速成長。台積電表示20奈米製程已投片，預計第2季末可量產，今年20奈米製程比重將達1成。董事長張忠謀預期，今年全球晶圓代工業產值可望成長10%，台積電業績表現更將優於全球同業，看好台積電今年營運可望逐季攀高。台積電全年業績可望較去年再成長2位數以上，有機會續創歷史新高。
★ 誠摯地邀請您參加2014 ANSYS 產品線暨平行運算於半導體應用研討會
■ 研討會資訊 :
‧時間：2014/3/12(三)13:00-16:30‧地點：新竹老爺大酒店( 6樓會議室-3 ) 新竹市東區光復路一段227號‧協辦單位：
‧報名方式：‧報名資格 :限半導體相關從業人員參加‧費用：免費‧聯絡人 :黃先生 02-29567575 #251
※虎門科技保有報名資格審核的權利
■ 議程：
時間
議程
講者
13:00-13:15
開場致詞
虎門科技 CAE 事業部主持人
13:15-13:45
台積電長官發表專題
台積電
13:45-14:15
ANSYS CFD 於半導體 製程 / 設備 / 廠務領域之應用
虎門科技 CAE事業部 李龍育 副理
14:15-15:00
ANSYS FLUENT 於半導體前段製程(front end process)應用之一
1.
黃光(lithography)光阻塗佈(spin coating)。
2.
化學氣相沉積(CVD)的showerhead氣體流動行為。
3.
化學機械研磨(CMP)的化學反應與溫度分布。
4.
300mm FOUP 的氮氣清洗效率(nitrogen purge efficient)。
虎門CAE 技術中心徐子正 協理
15:00-15:20
中場休息 & 交流
15:20-15:50
電腦軟體於半導體前段製程(front end process)之應用之二
以Particle-PLUS 軟體模擬電容耦合電漿(Capacitively coupled plasma)於蝕刻反應器etching chamber 。
以FEMAG 模擬矽晶圓(silicon raw wafer)的長晶Czochralski process (柴可拉斯基法)製程與缺陷分析。
3 .
以MedeA 模擬於 MOSFET源極，汲極(source, drain)的矽化物(silicide )與矽基層(Si substrate)的蕭特基電位壘(Schottky barrier)
15:50-16:20
ANSYS 於封裝結構之大型運算的加速應用
虎門科技 CAE事業部 許琦偉 博士
16:20-16:30
閉幕
註：主辦單位保留議程調整與變動之權力，請以網頁最新議程更新為準。
虎門科技股份有限公司
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