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更新亮點
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Charge Plus 新增了自適應網格的技術，此技術可在需要更高準確度的區域中細化網格元素。在電漿模擬中，這個技術使得在帶電表面附近可以得到更高的解析度，以獲得例如電漿鞘層形成等物理現象。這項先進的技術將有助於各種方面的電漿模擬，包括電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)。
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Charge Plus 增加了新的熱離子和電場發射模型，此模型用於電子從表面發射到電漿中。此外， Charge Plus 還新增了除空氣以外的新的氣體擊穿模型。這些改進為模擬電子設備（靜電放電）、高壓開關還有高壓半導體加工設備中的電弧效應提供了更完整的解決方案。
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Charge Plus 擁有新的輻射對電子設備影響的自動化工作流程。使用者現在可以基於 Ansys STK 中指定的粒子通量自動計算劑量深度率，並且兩個產品之間的工作流程可以很好的整合。
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