Ansys Q3D Extractor 面向電子元件的寄生參數提取
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Ansys Q3D Extractor能夠根據電子元件的結構，進行電磁場計算、抽取寄生參數（電阻 R，電感 L，電容 C，電導 G），並生成SPICE/IBIS等效電路模型。隨著電子設備工作速度和整合化程度的不斷提高，系統中的反射、傳輸延遲、串擾和同步開關雜訊（SSN）等效應越來越顯著，必須對系統中封裝、連接器、過孔、線纜等複雜結構的電磁寄生效應進行精確的模擬，才能確保系統的工作性能。Ansys Q3D Extractor 採用邊界元素法，能夠基於結構形狀和材料特性，快速求解電磁寄生參數和Ansys結構/流體進行雙向耦合模擬。
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